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GANE190-700BBA

700 V, 190 mOhm Gallium Nitride (GaN) FET in DPAK package

参数类型

型号 Package version Package name Product status Configuration Channel type Nr of transistors VDS [max] (V) Tj [max] (°C) ID [max] (A) QGD [typ] (nC) Ptot [max] (W) VGSth [typ] (V) Automotive qualified Ciss [typ] (pF) Coss [typ] (pF) Release date
GANE190-700BBA SOT428-2 TO252 Development e-mode N 1 700 150 11.5 1.1 84.5 1.7 N 96 30 2024-09-17

封装

型号 可订购的器件编号,(订购码(12NC)) 状态 标示 封装 外形图 回流焊/波峰焊 包装
GANE190-700BBA GANE190-700BBAZ
(934667672332)
Development 190SBBA no package information

环境信息

型号 可订购的器件编号 化学成分 RoHS RHF指示符
GANE190-700BBA GANE190-700BBAZ GANE190-700BBA rohs rhf rhf
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How does it work?

The interactive datasheets are based on the Nexperia MOSFET precision electrothermal models. With our interactive datasheets you can simply specify your own conditions interactively. Start by changing the values of the conditions. You can do this by using the sliders in the condition fields. By dragging the sliders you will see how the MOSFET will perform at the new conditions set.

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