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GANE1R8-100QBA

100 V, 1.8 mOhm Gallium Nitride (GaN) FET in a 4.0 mm x 6.0 mm Very-Thin-Profile Quad Flat No-Lead Package (VQFN)

参数类型

型号 Package version Package name Product status Nr of transistors VDS [max] (V) RDSon [max] @ VGS = 5 V (mΩ) Tj [max] (°C) QGD [typ] (nC) Ptot [max] (W) VGSth [typ] (V) Ciss [typ] (pF) Coss [typ] (pF) Release date
GANE1R8-100QBA SOT8091-1 VQFN7 Development 1 100 1.8 150 4.5 65 1.1 2500 1100 2024-09-17

封装

型号 可订购的器件编号,(订购码(12NC)) 状态 标示 封装 外形图 回流焊/波峰焊 包装
GANE1R8-100QBA GANE1R8-100QBAZ
(934667635332)
Development 1R8DQBA SOT8091-1
VQFN7
(SOT8091-1)
SOT8091-1 SOT8091-1_332

环境信息

型号 可订购的器件编号 化学成分 RoHS RHF指示符
GANE1R8-100QBA GANE1R8-100QBAZ GANE1R8-100QBA rohs rhf rhf
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How does it work?

The interactive datasheets are based on the Nexperia MOSFET precision electrothermal models. With our interactive datasheets you can simply specify your own conditions interactively. Start by changing the values of the conditions. You can do this by using the sliders in the condition fields. By dragging the sliders you will see how the MOSFET will perform at the new conditions set.

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GANE1R8-100QBA GANE1R8-100QBAZ 934667635332 SOT8091-1 订单产品