新闻稿

Nexperia发布P沟道MOSFET，采用节省空间的坚固LFPAK56封装

符合AEC-Q101标准，适合汽车应用

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Nexperia推出的超微型MOSFET占位面积减小36%，且具备低导通电阻RDS(on)

采用易于使用的封装，适用于可穿戴设备和大批量应用

安世半导体CEO Frans Scheper退休 张学政就任安世半导体CEO

2020年3月24日，Nexperia对外宣布，Nexperia首席执行官Frans ...

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Nexperia推出首款支持USB4标准的ESD保护器件

TrEOS二极管完全支持USB4TM标准；具有低钳位、低电容、低泄露特性，极高的鲁棒性

Nexperia与Ricardo合作开发基于GaN的EV逆变器设计

领先的汽车咨询公司在技术演示器中采用Nexperia已获AEC-Q101认证的GaN FET器件

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Nexperia 针对汽车以太网推出具有开创性 并且符合 OPEN Alliance 标准的硅基 ...

分立元件、MOSFET 元件及模拟和逻辑 IC 的专业制造商 Nexperia，今天宣布针对 100BASE-T1 和 1000BASE-T1 汽车以太网系统推出业界领先且符合 OPEN ...

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安世半导体推出采用LFPAK56封装的0.57 mΩ产品，籍此扩展市场领先的低RDS(on) MOSFET性能

同时优化了安全工作区、漏极电流和栅极电荷

新的所有权将为 Nexperia 带来新机遇

闻泰取得了 Nexperia 的控股权

Nexperia 针对超高速 USB推出了支持业界最高传输速度 集成 ESD 保护的共模滤波器

最高的差分带宽；高浪涌鲁棒性和低钳位

Nexperia 推出行业领先性能的高效率氮化镓功率器件 (GaN FET)

成熟耐用的工艺、产能可扩展、可批量应用

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