双极性晶体管

二极管

ESD保护、TVS、滤波和信号调节ESD保护

MOSFET

氮化镓场效应晶体管(GaN FET)

绝缘栅双极晶体管(IGBTs)

模拟和逻辑IC

汽车应用认证产品(AEC-Q100/Q101)

参数类型

型号 VCC(A) (V) VCC(B) (V) Logic switching levels Output drive capability (mA) tpd (ns) Nr of bits Power dissipation considerations Tamb (°C) Package name Category
NXT4559UP 1.08 - 1.98 1.62 - 3.3 CMOS ± 1 20 3 low -40~85 WLCSP9 Application specific

封装

型号 可订购的器件编号,(订购码(12NC)) 状态 标示 封装 外形图 回流焊/波峰焊 包装
NXT4559UP NXT4559UPZ
(935691709336)
Active z9 SOT8027-1
WLCSP9
(SOT8027-1)
SOT8027-1 SOT8027-1_336

环境信息

型号 可订购的器件编号 化学成分 RoHS RHF指示符
NXT4559UP NXT4559UPZ NXT4559UP rohs rhf rhf
品质及可靠性免责声明

文档 (5)

文件名称 标题 类型 日期
NXT4559 SIM card interface level translator Data sheet 2024-02-27
SOT8027-1 3D model for products with SOT8027-1 package Design support 2023-02-07
nxt4559up NXT4559UP IBIS model IBIS model 2023-12-21
SIM_card_NXT4558_NXT4559_leaflet SIM card interface level translators Leaflet 2024-06-28
SOT8027-1 wafer level chip-scale package; 9 bumps; 1.06 mm x 1.06 mm x 0.43 mm body Package information 2022-09-27

支持

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模型

文件名称 标题 类型 日期
SOT8027-1 3D model for products with SOT8027-1 package Design support 2023-02-07
nxt4559up NXT4559UP IBIS model IBIS model 2023-12-21

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