双极性晶体管

二极管

ESD保护、TVS、滤波和信号调节ESD保护

MOSFET

氮化镓场效应晶体管(GaN FET)

绝缘栅双极晶体管(IGBTs)

模拟和逻辑IC

汽车应用认证产品(AEC-Q100/Q101)

BCV26; BCV46

PNP Darlington transistors

PNP Darlington transistor in a SOT23 plastic package. NPN complements: BCV27 and BCV47.

特性

  • High current (max. 500 mA)

  • Low voltage (max. 60 V)

  • Very high DC current gain (min. 10000).

  • AEC-Q101 qualified

目标应用

  • Where very high amplification is required.

参数类型

Type numberPackage versionPackage nameSize (mm)hFE [min]fT [min] (MHz)PolarityIC [max] (mA)VCES [max] (V)Ptot [max] (mW)hFE [max]
BCV26SOT23SOT232.9 x 1.3 x 120000220PNP50030250>20000

封装

型号封装尺寸版本回流焊/波峰焊包装状态标示可订购的器件编号,(订购码(12NC))
BCV26SOT23-1
(SOT23)
REFLOW_BG-BD-1
SOT23_235ActiveFD%BCV26,235
( 9338 062 10235 )
SOT23_215ActiveFD%BCV26,215
( 9338 062 10215 )

环境信息

型号可订购的器件编号化学成分RoHSRHF指示符无铅转换日期
BCV26BCV26,235BCV26week 34, 2003
BCV26BCV26,215BCV26week 34, 2003
品质及可靠性免责声明

文档 (4)

文件名称标题类型日期
BCV26_BCV46PNP Darlington transistorsData sheet2022-10-11
LSYMTRALetter Symbols - Transistors; GeneralOther type1999-05-06
Nexperia_Selection_guide_2023Nexperia Selection Guide 2023Selection guide2023-05-10
REFLOW_BG-BD-1Reflow soldering profileReflow soldering2021-04-06

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