双极性晶体管

二极管

ESD保护、TVS、滤波和信号调节ESD保护

MOSFET

氮化镓场效应晶体管(GaN FET)

绝缘栅双极晶体管(IGBTs)

模拟和逻辑IC

汽车应用认证产品(AEC-Q100/Q101)

PEMB18; PUMB18

PNP/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 kΩ, R2 = 10 kΩ

PNP/PNP double Resistor-Equipped Transistors (RET) in Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages.

特性

  • 100 mA output current capability

  • Built-in bias resistors

  • Simplifies circuit design

  • Reduces component count

  • Reduces pick and place costs

  • AEC-Q101 qualified

目标应用

  • Low current peripheral driver

  • Control of IC inputs

  • Replaces general-purpose transistors in digital applications

参数类型

Type numberPackage versionPackage nameSize (mm)IO [max] (mA)R1 (typ) (kΩ)R2 (typ) (kΩ)Channel typePtot (mW)VCEO (V)
PUMB18SOT363TSSOP62.1 x 1.25 x 0.951004.710PNP/PNP30050

封装

型号封装尺寸版本回流焊/波峰焊包装状态标示可订购的器件编号,(订购码(12NC))
PUMB18
TSSOP6
(SOT363)
SOT363REFLOW_BG-BD-1
WAVE_BG-BD-1
SOT363_115ActiveB8%PUMB18,115
( 9340 578 87115 )

环境信息

型号可订购的器件编号化学成分RoHSRHF指示符无铅转换日期
PUMB18PUMB18,115PUMB18Always Pb-free
品质及可靠性免责声明

文档 (6)

文件名称标题类型日期
PEMB18_PUMB18PNP/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 kOhm, R2 = 10 kOhmData sheet2012-01-30
LSYMTRALetter Symbols - Transistors; GeneralOther type1999-05-06
MAR_SOT363MAR_SOT363 TopmarkTop marking2013-06-03
SOT363plastic, surface-mounted package; 6 leads; 0.65 mm pitch; 2.1 mm x 1.25 mm x 0.95 mm bodyPackage information2022-06-01
WAVE_BG-BD-1Wave soldering profileWave soldering2021-09-08
REFLOW_BG-BD-1Reflow soldering profileReflow soldering2021-04-06

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