双极性晶体管

二极管

ESD保护、TVS、滤波和信号调节ESD保护

MOSFET

氮化镓场效应晶体管(GaN FET)

绝缘栅双极晶体管(IGBTs)

模拟和逻辑IC

汽车应用认证产品(AEC-Q100/Q101)

XC7WT14

Triple inverting Schmitt trigger

The XC7WT14 is a high-speed Si-gate CMOS device. This device provides three inverting buffers with Schmitt trigger action. This device is capable of transforming slowly changing input signals into sharply defined, jitter-free output signals.

特性

  • Symmetrical output impedance

  • High noise immunity

  • ESD protection:

    • HBM: ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 class 2 exceeds 2000 V

    • CDM: ANSI/ESDA/JEDEC JS-002 class C3 exceeds 1000 V

  • Low power dissipation

  • Balanced propagation delays

  • Multiple package options

  • Specified from -40 °C to +85 °C and -40 °C to +125 °C

目标应用

  • Wave and pulse shaper for highly noisy environment

  • Astable multivibrator

  • Monostable multivibrator

参数类型

Type numberProduct statusVCC(A) (V)VCC(B) (V)Logic switching levelsOutput drive capability (mA)tpd (ns)fmax (MHz)Nr of bitsPower dissipation considerationsTamb (°C)Rth(j-a) (K/W)Rth(j-c) (K/W)Package name
XC7WT14DPProductionn.a.n.a.TTL± 82.2603low-40~125216105TSSOP8

封装

型号封装尺寸版本回流焊/波峰焊包装状态标示可订购的器件编号，（订购码(12NC)）
XC7WT14DP
TSSOP8
(SOT505-2) 		SOT505-2SOT505-2_125Activeg14XC7WT14DP,125
( 9352 944 27125 )

环境信息

型号可订购的器件编号化学成分RoHSRHF指示符无铅转换日期
XC7WT14DPXC7WT14DP,125XC7WT14DPAlways Pb-free
品质及可靠性免责声明

文档 (3)

文件名称标题类型日期
XC7WT14Triple inverting Schmitt triggerData sheet2024-01-04
Nexperia_Selection_guide_2023Nexperia Selection Guide 2023Selection guide2023-05-10
SOT505-2plastic, thin shrink small outline package; 8 leads; 0.65 mm pitch; 3 mm x 3 mm x 1.1 mm bodyPackage information2022-06-03

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