双极性晶体管

二极管

ESD保护、TVS、滤波和信号调节ESD保护

MOSFET

氮化镓场效应晶体管(GaN FET)

绝缘栅双极晶体管(IGBTs)

模拟和逻辑IC

汽车应用认证产品(AEC-Q100/Q101)

PBLS4003Y; PBLS4003V

40 V PNP BISS loadswitch

PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor and NPN Resistor- Equipped Transistor (RET) in one package.

特性

  • Low VCEsat (BISS) and resistor-equipped transistor in one package
  • Low threshold voltage (<1 V) compared to MOSFET
  • Low drive power required
  • Space-saving solution
  • Reduction of component count
  • AEC-Q101 qualified

目标应用

  • Supply line switches
  • Battery charger switches
  • High-side switches for LEDs, drivers and backlights
  • Portable equipment

参数类型

Type numberPackage versionPackage nameSize (mm)PolarityPtot [max] (mW)VCEO [max] (V)VCEsat [max] (mV)VCEsat [max] (trans 2) (mV)RCEsat@IC [max]; IC/IB =10 [typ] (mΩ)hFE [min]fT [typ] (MHz)Automotive qualified
PBLS4003YSOT363TSSOP62.1 x 1.25 x 0.95NPN/PNP30050-150-35044030100N

封装

型号封装尺寸版本回流焊/波峰焊包装状态标示可订购的器件编号,(订购码(12NC))
PBLS4003Y
TSSOP6
(SOT363)
SOT363REFLOW_BG-BD-1
WAVE_BG-BD-1
SOT363_115ActiveS3%PBLS4003Y,115
( 9340 586 46115 )

环境信息

型号可订购的器件编号化学成分RoHSRHF指示符无铅转换日期
PBLS4003YPBLS4003Y,115PBLS4003YAlways Pb-free
品质及可靠性免责声明

文档 (6)

文件名称标题类型日期
PBLS4003Y_PBLS4003V40 V PNP BISS loadswitchData sheet2009-02-18
Nexperia_Selection_guide_2023Nexperia Selection Guide 2023Selection guide2023-05-10
MAR_SOT363MAR_SOT363 TopmarkTop marking2013-06-03
SOT363plastic, surface-mounted package; 6 leads; 0.65 mm pitch; 2.1 mm x 1.25 mm x 0.95 mm bodyPackage information2022-06-01
WAVE_BG-BD-1Wave soldering profileWave soldering2021-09-08
REFLOW_BG-BD-1Reflow soldering profileReflow soldering2021-04-06

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