SiC MOSFET X.PAK evaluation board - NEVB-NSF-XPAK-A
NEVB-NSF-XPAK-A评估板由两个半桥组成，可用于对X.PAK器件在单一和并联工作时的动态特性进行基础研究。该评估板针对低电感进行了优化，并配备高带宽分流器，能够以超高精度评估开关性能。
主要特性与优势
该评估板电路由两个半桥组成，可用于对X.PAK器件在单一和并联工作时的动态特性进行基础研究。
所采用的SiC MOSFET为30mOhm X.PAK (NSF030120T2A0)，在高达175℃的温度下仍具有领先的RDSon稳定性，在各个方面均经过优化，可实现超高效率和品质因数。
NEVB-NSF-XPAK-A的主要特性包括：
- 4 DUTs in XPAK assembled
- 优化的PCB设计，以尽可能减少回路电感
- 可测试单一或并联器件
关键应用
- 电动汽车充电基础设施
- 光伏逆变器
- 开关模式电源
- 不间断电源
- 电机驱动器
板上的产品 (3)
| Type number | Description | Status | Quick access | |
|---|---|---|---|---|
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NSF030120T2A0 | 1200 V, 30 mΩ, N-channel SiC MOSFET | Production | |
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NSF040120T2A1 | 1200 V, 40 mΩ, N-channel SiC MOSFET | Production | |
|
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NSF060120T2A0 | 1200 V, 60 mΩ, N-channel SiC MOSFET | Production |
板上的产品 (3)
| Type number | Description | Status | Quick access | |
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NSF030120T2A0 | 1200 V, 30 mΩ, N-channel SiC MOSFET | Production | |
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NSF040120T2A1 | 1200 V, 40 mΩ, N-channel SiC MOSFET | Production | |
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NSF060120T2A0 | 1200 V, 60 mΩ, N-channel SiC MOSFET | Production |
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