双极性晶体管

二极管

ESD保护、TVS、滤波和信号调节ESD保护

MOSFET

氮化镓场效应晶体管(GaN FET)

绝缘栅双极晶体管(IGBTs)

模拟和逻辑IC

汽车应用认证产品(AEC-Q100/Q101)

庆祝LFPAK问世20周年!

庆祝LFPAK问世20周年!

二十年前,Nexperia凭借独具特色有引脚夹片粘合功率MOSFET一举改变了半导体行业。这项突破性的创新技术名为LFPAK,比市场上任何类型的封装都能实现更低的功率损耗。LFPAK具有革新性,大幅度地改进了性能,为早期采用者所带来的优势超出了他们对MOSFET封装的预期。在20年持续创新的推动下,故事还在继续...

LFPAK是如何成为高质量、高稳健性功率封装的业内标准的

LFPAK是如何成为高质量、高稳健性功率封装的业内标准的

Chris Boyce

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Changing the industry

20 years ago Nexperia engineers had an innovative idea that would transform power MOSFETs. Two decades on, we ask the original pioneers of LFPAK copper-clip semiconductor packaging how it feels to have innovated technology which changed the landscape of a whole industry?

铜夹片如何造就面向未来的出色的功率封装

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Ding Yandoc

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更进一步

更进一步

Nexperia不仅开发高性能的功率产品和创新的功率技术,还打造多种先进工具,为设计工程师提供知识、课程与支持。

要进一步了解我们的电热MOSFET模型,请体验我们的交互式应用笔记,观看快速学习视频,或下载MOSFETGaN FET应用手册:电源设计工程师指南。