双极性晶体管

二极管

ESD保护、TVS、滤波和信号调节ESD保护

MOSFET

氮化镓场效应晶体管(GaN FET)

绝缘栅双极晶体管(IGBTs)

模拟和逻辑IC

汽车应用认证产品(AEC-Q100/Q101)

넥스페리아, 시장 선도 효율의 웨이퍼 레벨 12, 30V MOSFET 출시

넥스페리아, 시장 선도 효율의 웨이퍼 레벨 12, 30V MOSFET 출시

七月 26, 2022

Nijmegen -- DSN1006 및 DSN1010패키지의 세 가지 새로운 소자들 -
- 공간이 제한된 애플리케이션에서 전력을 절약하고 열 관리를 간소화해

핵심 반도체 전문업체인 Nexperia가 공간이 부족하고 배터리 사용 시간이 중요한 곳에서 에너지를 더 많이 사용하도록 초소형 웨이퍼 레벨 DSN1006 패키지에 시장을 선도하는 RDS(on)가 포함된 PMCB60XN 및 PMCB60XNE 30V N 채널 소형 신호 트렌치 MOSFET제품들을 출시했다.

스마트폰, 스마트 시계, 보청기 및 이어폰 등 고도로 소형화된 전자 제품에 이상적인 이 MOSFET제품들은 시스템 전력 수요를 증가시키는 여러가지 다양한 지능형 기능이 추가되는 추세를 지원한다.

이 제품들의 RDS(on)는 경쟁 소자들보다 최대 25% 우수하므로 에너지 손실을 최소화하고 부하 스위칭 및 배터리 관리 효율성을 높여준다. 뛰어난 성능은 자체  발열을 줄여 웨어러블 장치에서 사용자의 편리성을 향상시킨다.

특히, PMCB60XN 및 PMCB60XNE은 VGS = 4.5V에서 각각 50mΩ 및 55mΩ의 최대 RDS(on)값을 갖는다. 이는 관련 시장에 나와 있는 유사한 30V MOSFET들 중  가장 낮은 온 저항을 자랑한다. 초소형 1.0mm × 0.6mm x 0.2mm 크기의 DSN1006 패키지로 제공되는 PMCB60XNE은  2kV(인체 모델 – HBM) 정격의 ESD 보호 기능을 집적시켰다. 두 MOSFET 제품 모두 최대 4A의 드레인 전류로 정격화되어 있다.

넥스페리아는 DSN1006패키지의 이 두 MOSFET 제품 외에도 DSN1010 패키지의 12V, N 채널 트렌치 MOSFET인 PMCA14UN을 출시했다. VGS = 4.5V에서 16mΩ의 최대 RDS(on)값을 제공하는 PMCA14UN은 0.96mm × 0.96mm × 0.24mm(SOT8007) 패키지 크기로 시장을 선도하는 효율을 제공한다.

30V PMCB60XN과 PMCB60XNE 및 12V PMCA14UN은 현재 생산 중이며 넥스페리아에서 직접 구입할 수 있다. 제품 사양 및 데이터 시트 등 상세 정보는 www.nexperia.com/mosfets에 있다.

 

넥스페리아 소개

넥스페리아는 전 세계 모든 전자 설계에 필요한 필수 반도체 및 부품의 대량 생산 전문업체이다. 넥스페리아의 광범위한 포트폴리오에는 다이오드, 양극성 트랜지스터, ESD 보호 소자, MOSFET, 질화 갈륨(GaN) FET를 비롯해 아날로그 및 각종 로직 IC들이 포함된다. 네덜란드 나인메겐에 본사를 둔 넥스페리아는 매년 1,000억 개 이상의 제품을 공급하며 자동차 산업이 정한 엄격한 기준을 충족하고 있다. 이 제품들은 공정, 크기, 전력 및 성능 등 모든 면에서 효율성의 기준으로 인정받으며 특히 기기 설계에 귀중한 에너지와 공간을 절약해주는 업계 최고의 소형 패키지로 업계의 벤치마크가 되고 있다.

수십 년간의 경험을 바탕으로 전 세계 굴지의 기업들에 제품을 공급하는 넥스페리아는 각 지역별 고객 지원을 위해 아시아, 유럽, 미국 전역에 걸쳐 14,000명이 넘는 직원들을 고용하고 있다. 윙텍 테크놀로지의 자회사인 넥스페리아는 광범위한 IP 포트폴리오를 보유했으며 IATF 16949, ISO 9001, ISO 14001 및 OHSAS 18001 인증을 획득했다.

 

Nexperia: Efficiency wins.

상세 정보 문의

홍보대행사 하이터치 세미컴

김홍덕 실장

전화: 02 3473 6369

이메일: hordonkim@gmail.com