Nexperias erste SiC-MOSFETs setzen neue Maßstäbe für sichere, robuste und zuverlässige Leistungsschaltungen in industriellen Anwendungen
十一月 30, 2023Nijmegen -- Diskrete 1200-V-Bauteile mit branchenführender Leistung helfen bei der Beschleunigung der globalen Energiewende
Nexperia kündigt heute seine ersten Siliziumkarbid-MOSFETs (SiC) an. Dabei handelt es sich um zwei diskrete 1200 V Bauelemente im 3-Pin-TO-247-Gehäuse mit RDS(on)-Werten von 40 mΩ und 80 mΩ. NSF040120L3A0 und NSF080120L3A0 sind die ersten ihrer Serie. Das SiC-MOSFET-Portfolio von Nexperia wird Bauelemente mit einer Vielzahl von RDS(on)-Werten in einer Auswahl von Durchsteck- und Oberflächenmontage-Gehäusen enthalten. Mit dieser Produkteinführung reagiert Nexperia auf die hohe Marktnachfrage nach Hochleistungs-SiC-MOSFETs für industrielle Anwendungen wie Ladesäulen für Elektrofahrzeuge, unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV) und Wechselrichter für Solar- und Energiespeichersysteme (ESS).
"Mit diesen ersten Produkten bringen Nexperia und Mitsubishi Electric echte Innovation in einen Markt, der nach mehr Wide-Bandgap-Anbietern verlangt", so Katrin Feurle, Senior Director & Head of Product Group SiC bei Nexperia. "Nexperia kann nun SiC-MOSFET-Bauelemente anbieten, die in Bezug auf mehrere Parameter die beste Leistung ihrer Klasse bieten, darunter eine hohe RDS(on) Temperaturstabilität, ein niedriger Body-Dioden-Spannungsabfall, eine überragend gering spezifizierte Schwellenspannung, sowie ein sehr ausgewogenes Gate-Charge-Verhältnis. Letzteres schützt die Bauelemente sicher gegen parasitäres Einschalten. Diese qualitativ hochwertigen MOSFETs sind das erste Kapitel im Rahmen unserer Partnerschaft mit Mitsubishi Electric. Gemeinsam werden wir in den kommenden Jahren zweifellos die Grenzen der Leistungsfähigkeit von SiC-Bauelementen neu definieren."
"Wir freuen uns, gemeinsam mit Nexperia diese neuen SiC-MOSFETs als erstes Produkt unserer Partnerschaft vorzustellen ", sagt Toru Iwagami, Senior General Manager, Power Device Works, Semiconductor & Device Group bei Mitsubishi Electric. "Mitsubishi Electric hat eine überragende Expertise bei SiC-Leistungshalbleitern aufgebaut, und unsere Bauelemente bieten eine einzigartige Ausgewogenheit der technischen Eigenschaften."
RDS(on) ist ein kritisches Leistungsmerkmal für SiC-MOSFETs, da es die Durchlassverluste beeinflusst. Dieser Wert ist ein einschränkender Faktor für die Leistung vieler derzeit erhältlicher SiC-Bauelemente. Dank der innovativen Prozesstechnologie bieten die neuen Nexperia SiC-MOSFETs eine branchenführende Temperaturstabilität, wobei der Nominalwert von RDS(on) über einen Betriebstemperaturbereich von 25°C bis 175°C nur um 38 Prozent ansteigt – im Gegensatz zu anderen derzeit auf dem Markt erhältlichen SiC-Bauelementen.
Die SiC-MOSFETs von Nexperia weisen auch eine sehr niedrige Gesamt-Gate-Ladung (QG) auf, was den Vorteil geringerer Ansteuerverluste mit sich bringt. Darüber hinaus hat Nexperia die Gate-Ladung ausgeglichen, um ein außergewöhnlich niedriges Verhältnis von QGD zu QGS zu erreichen, eine Eigenschaft, die die Immunität des Bauelements gegen parasitäres Einschalten erhöht.
Zusammen mit dem günstigen Temperaturkoeffizienten von SiC-MOSFETs bieten die Produkte von Nexperia auch eine äußerst geringe Streuung der Schwellenspannung von Bauteil zu Bauteil, VGS(th). Dies ermöglicht eine sehr ausgewogene Stromführung unter statischen und dynamischen Bedingungen ermöglicht, wenn die Bauteile parallel betrieben werden. Darüber hinaus ist die niedrige Durchlassspannung der Body-Diode (VSD) ein Parameter, der die Robustheit und Effizienz der Bauelemente erhöht und gleichzeitig die Totzeitanforderungen verringert.
Nexperia plant für die Zukunft auch automotive AEC-Q101 qualifizierte SiC-MOSFETs. Die NSF040120L3A0 und NSF080120L3A0 sind ab sofort in Produktionsmengen verfügbar. Bitte wenden Sie sich an die Nexperia-Vertriebsmitarbeiter, um Muster des gesamten SiC-MOSFET-Angebots zu erhalten.
Um mehr über die MOSFETs von Nexperia zu erfahren, besuchen Sie https://www.nexperia.com/sic-mosfets
Über Nexperia
Nexperia ist ein globales Halbleiterunternehmen mit Hauptsitz in den Niederlanden, über 15.000 Mitarbeiterinnen und Mitarbeitern in Europa, Asien und den Vereinigten Staaten und einer langjährigen europäischen Geschichte. Als führender Experte entwickelt und produziert Nexperia essentielle Halbleiter, Komponenten, welche die Basisfunktionen von praktisch jedem kommerziellen elektronischen Design auf der Welt ermöglichen. Diese finden sich in der Automobil- und Industrieelektronik aber auch in Mobil- und Verbraucheranwendungen.
Mit über 100 Milliarden ausgelieferten Bauteilen pro Jahr bedient das Unternehmen einen weltweiten Kundenstamm. Diese Produkte gelten als Maßstab für Effizienz hinsichtlich Herstellung, Größe, Stromverbrauch und Leistung. Das Bekenntnis von Nexperia zu Innovation, Effizienz, Nachhaltigkeit und strengen Industrieanforderungen zeigt sich im umfangreichen IP-Portfolio, sowie der wachsenden Produktpalette und Zertifizierung nach den Normen IATF 16949, ISO 9001, ISO 14001 und ISO 45001.
Für Presseinformationen wenden Sie sich bitte an: