Nexperias erstklassige 1200 V SiC-MOSFETs jetzt auch im Top-Side-gekühlten X.PAK-Gehäuse
三月 19, 2025Nijmegen -- Neues X.PAK-Gehäuse kombiniert hohe thermische Leistung und kompakte Größe mit Oberflächenmontage für Hochleistungsanwendungen
Nexperia bringt heute seine besonders effizienten und robusten 1200 V Siliziumkarbid (SiC) MOSFETs in innovativem oberflächenmontiertem TSC-Gehäuse namens X.PAK heraus. Dieses Top Side Cooling-Gehäuse (TSC) ist eine Gehäusetechnologie kombiniert in einem kompakten Formfaktor von 14 mm x 18,5 mm, die Vorteile von SMD-Montage mit der Kühleffizienz der Durchstecktechnik wie TO-247. Mit dieser neuen Gehäuseoption geht Nexperia auf die wachsende Nachfrage der Industrie nach diskreten SiC-MOSFETs mit hoher thermischer Leistung, dank oberseitiger Kühlung. Die neuen Bauteile eignen sich ideal für industrielle Anwendungen wie Batterie-Energiespeichersysteme (BESS), Photovoltaik-Wechselrichter, Motorantriebe und unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV). Zudem sind sie hervorragend für die Ladeinfrastruktur von Elektrofahrzeugen, einschließlich Ladestationen, geeignet.
Das X.PAK-Gehäuse von Nexperia optimiert die thermische Leistung der SiC-MOSFETs, indem es die negativen Auswirkungen der Wärmeableitung über die Leiterplatte minimiert. Zudem bietet das X.PAK-Gehäuse eine geringe Induktivität für oberflächenmontierte Komponenten und unterstützt die automatisierte Bestückung von Leiterplatten.
Die neuen X.PAK-Bauteile bieten die von den Nexperia SiC-MOSFETs bekannten klassenbesten Leistungswerte (FoM), wobei RDS(on) aufgrund seiner Auswirkungen auf Durchlassverluste ein effizienzbestimmender Parameter ist. Allerdings konzentrieren sich viele Hersteller rein auf den Nennwert dieses Parameters und vernachlässigen dabei, dass dieser bei steigenden Betriebstemperaturen um mehr als 100% ansteigen kann, was zu erheblichen Leitungsverlusten führt. Im Gegensatz dazu bieten die SiC-MOSFETs von Nexperia eine branchenführende Temperaturstabilität: Der Nennwert von RDS(on) steigt über einen Betriebstemperaturbereich von 25 °C bis 175 °C nur um 38%.
"Die Einführung unserer SiC-MOSFETs im X.PAK-Gehäuse stellt einen bedeutenden Fortschritt im Wärmemanagement und in der Leistungsdichte für Hochleistungsanwendungen dar", erklärt Katrin Feurle, Senior Director und Leiterin von SiC Discretes & Modules bei Nexperia. "Diese neue top-seitig gekühlte Produktoption baut auf unseren erfolgreichen Einführungen von diskreten SiC-MOSFETs in TO-247 und SMD D2PAK-7-Gehäusen auf. Sie unterstreicht Nexperias Engagement, unseren Kunden das fortschrittlichste und flexibelste Portfolio zu bieten, um ihre sich entwickelnden Designanforderungen zu erfüllen."
Das anfängliche Portfolio umfasst SiC MOSFETs mit RDS(on)-Werten von 30, 40, 60 mΩ (NSF030120T2A0, NSF040120T2A1, NSF060120T2A0). Ein weiteres Produkt mit 17 mΩ wird ab April 2025 erhältlich sein. Ein für Automobilanwendungen qualifiziertes SiC-MOSFET-Portfolio im X.PAK folgt später im Jahr 2025, ebenso wie weitere RDS(on)-Klassen wie 80 mΩ.
Weitere Informationen über die SiC-MOSFETs von Nexperia finden Sie unter: www.nexperia.com/sic-mosfets
Über Nexperia
Nexperia mit Hauptsitz in den Niederlanden ist ein globales Halbleiterunternehmen mit einer reichen europäischen Geschichte und über 12.500 Mitarbeitern in Europa, Asien und den Vereinigten Staaten. Als führender Experte in der Entwicklung und Produktion von essentiellen Halbleitern ermöglichen die Komponenten von Nexperia die Grundfunktionalität von praktisch jedem kommerziellen elektronischen Design in der Welt - von Automobil- und Industrie- bis hin zu mobilen und Verbraucheranwendungen.
Das Unternehmen beliefert einen weltweiten Kundenstamm und liefert jährlich mehr als 100 Milliarden Produkte aus. Diese Produkte gelten als Benchmark in Sachen Effizienz - in Bezug auf Prozesse, Größe, Stromverbrauch und Leistung. Das Engagement von Nexperia für Innovation, Effizienz, Nachhaltigkeit und strenge Industrieanforderungen zeigt sich in seinem umfangreichen IP-Portfolio, seiner wachsenden Produktpalette und seiner Zertifizierung nach den Normen IATF 16949, ISO 9001, ISO 14001 und ISO 45001.
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