Nexperia、業界をリードする上面放熱タイプのX.PAKに封止された1200V SiC MOSFETを発表
三月 19, 2025Nijmegen -- 新しいX.PAKパッケージはハイパワー・アプリケーション向けに高い放熱性能 コンパクトなサイズ、組み立てにおける利便性を兼備
Nexperiaは革新的な表面実装（SMD）上面放熱パッケージ技術「X.PAK」に封止され、業界でもトップクラスの温度安定性を持つ高効率で堅牢な産業グレードの1200Vシリコン・カーバイド（SiC）MOSFET製品シリーズを発表しました。14mm x 18.5mmのコンパクトなフォームファクタの「X.PAK」はSMDが持つ組み立ての優位性とスルーホール技術が持つ高い冷却効率を兼ね備えており、最適な放熱特性を実現しています。幅広いハイパワー（産業用）アプリケーションでは優れた熱特性を持つ上面放熱タイプの優位点を活かしたディスクリートSiC MOSFETのニーズが高まっており、今回のリリースはそうしたニーズに応えるものです。これらのスイッチはバッテリ蓄電システム（BESS）、太陽光発電インバータ、モーター・ドライブ、無停電電源装置（UPS）などの産業用アプリケーションに最適です。また、充電ステーションなどの電気自動車向け充電インフラにも適しています。
X.PAKパッケージの採用により、NexperiaのSiC MOSFETの熱特性はさらに向上します。ヒートシンクをリードフレームに直接取り付けることができ、筐体上部からの放熱が促進されるためです。さらに、PCBからの放熱を受けることの悪影響も軽減されます。また、NexperiaのX.PAKパッケージは表面実装部品の低インダクタンスを維持し、自動基板組立をサポートするという特長も持っています。
新しいX.PAKで封止された製品はNexperia SiC MOSFETで定評ある業界トップクラスの性能指数（FoM）を示し、導通電力損失への影響が大きい重要なパラメータのRDS(on)が優れています。しかし、多くのメーカーはRDS(on)の公称値にフォーカスを当てており、デバイスの動作温度が上昇すると100%以上増加し、大幅な導通損失が生じるという事実が無視されています。一方、Nexperia SiC MOSFETは25°Cから175°Cまでの動作温度範囲でRDS(on)の公称値の増加がわずか38%に収まっており、業界トップクラスの温度安定性を実現しています。
シニアディレクター 兼 SiCディスクリート＆モジュール部門責任者のKatrin Feurleは「X.PAKに封止されたSiC MOSFETが登場したことにより、ハイパワー・アプリケーションにおけるSiC MOSFETは熱管理と電力密度の面で大きく進化しました」と述べ、さらに「TO-247パッケージ、SMD D2PAK-7パッケージに封止されたディスクリートSiC MOSFETの成功を受けて、今回新しい上面放熱タイプをリリースしました。今回のリリースはNexperiaが最も先進的で柔軟なポートフォリオを通じてお客様の進化する設計ニーズに対応することにコミットしている証となります」と語りました。
初期ポートフォリオではRDS(on)が30、40、60 mΩの製品（NSF030120T2A0、NSF040120T2A1、NSF060120T2A0）を用意し、17mΩの製品は2025年4月に発売する予定です。2025年後半にはX.PAKに封止された車載用SiC MOSFETポートフォリオを発表し、80mΩなどのRDS(on)の製品も追加する予定です。
Nexperiaのシリコン・カーバイドMOSFETについて詳しくは www.nexperia.com/sic-mosfets をご覧ください。
Nexperiaについて
オランダに本社を置くNexperiaはヨーロッパの豊かな歴史を持ち、欧州、アジア、米国で12,500人以上の従業員を擁するグローバル半導体企業です。Nexperiaは必要不可欠な半導体の開発・製造におけるエキスパートとして、自動車、産業からモバイル、コンシューマ向けアプリケーションまで、世界のほぼすべての電子機器の基本機能を実現する部品を提供しています。世界のお客様に向けてサービスを提供しており、製品の年間出荷台数は1,000億以上に及びます。Nexperiaの製品はプロセス、サイズ、消費電力、性能における効率性のベンチマークとして高い評価を得ています。Nexperiaは革新性、効率性、持続可能性、厳しい業界要件への対応に注力しており、そのことは充実したIPポートフォリオ、製品ラインナップの拡充、IATF16949、ISO9001、ISO14001、ISO45001規格への準拠に現れています。
Nexperia: Efficiency wins.
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