Nexperia新推出的LFPAK56 MOSFET改善了爬电距离与电气间隙， 并且符合UL2595标准

全球分立器件、逻辑器件和MOSFET器件领导者Nexperia今日宣布MOSFET的LFPAK56封装系列中的两款器件目前已可投入使用，其经改善的爬电距离与电气间隙满足额定电压在15V到32V之间的电池供电设备的UL2595要求。器件与行业标准的Power-SO8占用空间100%兼容，尚无其他紧凑型表面贴装器件能满足要求源极端头和漏极端头之间最小爬电距离与电气间隙为1.5mm的UL2595标准。

与使用引线接合法构造的一些竞争Power-SO8类型不同，Nexperia的LFPAK56封装采用一次性焊接至芯片表面的铜夹构造而成。这降低了扩展电阻，赋予LFPAK56出色的电气和热特性并提高了可靠性。采用增强型SOT1023A封装的新款PSMN0R9-30ULD和PSMN1R0-40ULD N沟道MOSFET的爬电距离为1.5mm，电气间隙为1.55mm。PSMN0R9-30ULD器件的额定电压为30V， 电阻为0.87mΩ，电流为300A，PSMN1R0-40ULD的额定电压为40V，电阻为1.1 mΩ，电流为280 A。

国际产品营销经理Eric Su评论道：“UL2595是一个很有可能被其他国际监管机构采用的重要美国标准。此外，设备制造商宁愿设计一款符合最严格标准的全球产品，也不愿针对不同地理位置设计不同版本的产品。因此，设计人员必须意识到常规的Power-SO8器件无法满足UL2595标准要求，但有兼容且方便替换的器件可供选择。”

PSMN0R9-30ULD和PSMN0R9-40ULD MOSFET是NexperiaNextPowerS3系列器件的一部分，具有低R_DS(on)、最大电流和牢固安全工作区(SOA)的优点，是由电池供电的电机控制应用的理想选择。

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