双极性晶体管

二极管

ESD保护、TVS、滤波和信号调节ESD保护

MOSFET

氮化镓场效应晶体管(GaN FET)

绝缘栅双极晶体管(IGBTs)

模拟和逻辑IC

汽车应用认证产品(AEC-Q100/Q101)

Nexperia面向USB4标准接口推出极低钳位的双向ESD保护器件

Nexperia面向USB4标准接口推出极低钳位的双向ESD保护器件

十月 21, 2021

奈梅亨 -- TrEOS二极管为更强劲的USB4TM数据传输提供行业领先的插入损耗和回波损耗特性

 

基础半导体器件领域的专家Nexperia今日宣布推出两款PESD5V0R1BxSF器件,即具有极低钳位和电容的双向静电放电(ESD)保护二极管。该器件采用Nexperia TrEOS的主动可控硅整流技术的技术,可确保笔记本电脑和外围设备、智能手机及其他便携式电子设备上的USB4TM高达2 x 20 Gbps)数据线拥有最佳信号完整性。

Nexperia高级产品经理Stefan Seider说道:“因为USB4TM超高速线路的插入损耗和回波损耗预算有限,所以Nexperia提供尽可能降低ESD保护对总预算影响的器件,希望为设计工程师提供支持。通过提供这两种器件选型,工程师可以在ESD电压钳位(保护级别)和RF性能之间找到平衡。”

 

PESD5V0R1BDSF针对低钳位进行了优化,并且能提供极低的插入损耗和回波损耗,在10 GHz时分别为‑0.28 dB和‑19 dB。另一方面,PESD5V0R1BCSF针对RF性能进行了优化,其插入损耗和回波损耗在10 GHz时分别为-0.25 dB和-19.4 dB。这使其成为插入损耗和回波损耗预算更为有限的应用的理想选择。

两种器件都采用超低电感DSN0603-2 (SOD962-2)无铅引脚封装,管脚尺寸为标准的0.6 mm x 0.3 mm、厚度为0.3 mm并且具有优化回波损耗的焊盘。对于USB4TM,接收器(Rx)输入也必须具有交流耦合电容。PESD5V0R1BxSF器件的额定电压VRWM(>2.8 V)允许其可以直接放置在连接器后面,这是在保护电路的电容与实现出色的系统级ESD性能的首选位置。这个额定电压使其能向下兼容通过USB Type-C®连接的所有标准。其中包括USB4TM、USB 3.2、旧版USB3.x以及ThunderboltTM和HDMI2.1®(HDMI®交替模式)数据线,支持高达48 Gbps (4 x 12)的HDMI2.1数据速率和高达40 Gbps (2 x 20)的ThunderboltTM数据速率。同时,TrEOS技术能够确保极低的ESD钳位电压以保护敏感的收发器。

关于新款PESD5V0R1BxSF ESD保护器件的更多信息,包括产品规范和数据手册,请访问:www.nexperia.com/USB4protection

关于Nexperia

Nexperia,作为半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家,其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑ICNexperia总部位于荷兰奈梅亨,每年可交付900多亿件产品,产品符合汽车行业的严苛标准。其产品在效率(如工艺、尺寸、功率及性能)方面获得行业广泛认可,拥有先进的小尺寸封装技术,可有效节省功耗及空间。

凭借几十年来的专业经验,Nexperia持续不断地为全球各地的优质企业提供高效的产品及服务,并在亚洲、欧洲和美国拥有超过12,000名员工。Nexperia是闻泰科技股份有限公司(600745.SS)的子公司,拥有庞大的知识产权组合,并获得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001 认证。

Nexperia:效率致胜。

如需媒体信息,请联系:

 

Nexperia

Petra Beekmans,宣传与品牌部门主管

电话:+31 6 137 111 41

电子邮件:petra.beekmans@nexperia.com

 

机构:BWW通信

Nick Foot,总监

电话:+44 1491 636393

电子邮件:nick.foot@bwwcomms.com