Nexperia lanciert modernste 650-V-Siliziumkarbid-Dioden für anspruchsvolle leistungselektronische Anwendungen

Nexperia, Experte für essentielle Halbleiter, präsentiert heute eine 650 V Siliziumkarbid (SiC) Schottky-Diode für Leistungsanwendungen, die eine sehr hohe Leistungsfähigkeit, geringe Verluste und damit höchste Wirkungsgrade erzielen. Die 10 A, 650 V SiC-Schottky-Diode erfüllt die Anforderungen von anspruchsvollen Hochspannungs- und Hochstromanwendungen in der Konsum- und Industrieelektronik. Dazu gehören Schaltnetzteile (SMPS), AC-DC- und DC-DC-Wandler, Elektroauto-Ladestationen, unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV) sowie Photovoltaik-Wechselrichter und ermöglichen einen nachhaltigeren Betrieb. Rechenzentren beispielsweise, deren Stromversorgungen die SiC-Schottky-Diode PSC1065K von Nexperia nutzen, sind besser in der Lage, die strengen Energieeffizienzstandards zu erfüllen als solche, die ausschließlich siliziumbasierte Lösungen verwenden.

Die PSC1065K bietet Spitzenleistung: Temperaturunabhängiges kapazitives Schalten und Zero Recovery Verhalten sorgen für einen hervorragenden Figure of Merit (FOM, QC x VF) Wert. Darüber hinaus ist die exzellente Schaltleistung nahezu unabhängig von Stromstärke- und Schaltgeschwindigkeitsvariationen. Die Merged-PiN-Schottky-Struktur (MPS) der PSC1065K bietet zusätzlich eine hervorragende Robustheit gegenüber transienten Einschaltstoßströmen, und macht so zusätzliche Schutzschaltungen überflüssig. Dank dieser Merkmale wird die Systemkomplexität erheblich reduziert und Hardwareentwickler können in robusten Hochleistungsanwendungen eine höhere Effizienz bei kleineren Formfaktoren erzielen.

Untergebracht ist die SiC-Schottky-Diode ist in einem hochspannungskompatiblen Real-2-Pin (R2P) TO-220-2 Gehäuse für die Durchsteckmontage. Weitere Gehäuseoptionen umfassen die Oberflächenmontage (DPAK R2P und D²PAK R2P) und Durchsteckmontage (TO-247-2 R2P), welche die Zuverlässigkeit in Hochspannungsanwendungen bei Temperaturen von bis zu 175 °C verbessert.

Katrin Feurle, Senior Director der SiC-Produktgruppe bei Nexperia, fügt hinzu: "Wir sind stolz darauf, eine Hochleistungs-SiC-Schottky-Diode anbieten zu können, die zur Spitzengruppe der derzeit verfügbaren Lösungen gehört. In einer zunehmend energiebewussten Welt bringen wir größere Auswahl und Verfügbarkeit auf den Markt, während die Nachfrage nach hocheffizienten, in Massenproduktion gefertigten Anwendungen deutlich steigt."

Nexperia plant die kontinuierliche Erweiterung des SiC-Dioden-Portfolios, unter anderem um Bauteile für die Automobilindustrie, die bei Spannungen von 650 V und 1200 V mit Strömen im Bereich von 6-20 A arbeiten. Muster und Produktionsmengen der neuen SiC-Dioden sind ab sofort verfügbar.

Weitere Informationen über die neuen 650-V-SiC-Schottky-Dioden von Nexperia finden Sie unter: www.nexperia.com/sic_diodes

Über Nexperia

Nexperia ist ein führender Experte für die Großserienproduktion von wichtigen Halbleitern, also von Bauteilen, die für jedes elektronische Design auf der Welt benötigt werden. Das umfangreiche Portfolio des Unternehmens umfasst Dioden, Bipolar-Transistoren, ESD-Schutzbausteine, MOSFETs, GaN-FETs sowie analoge und Logik-ICs. Nexperia mit Hauptsitz in Nijmegen, Niederlande, liefert jährlich mehr als 100 Milliarden Produkte aus, die den strengen Standards der Automobilindustrie genügen. Diese Produkte gelten als Benchmark hinsichtlich der Effizienz – in Bezug auf Prozess, Größe, Stromverbrauch und Leistung – mit branchenführend kleinen Gehäusen, die wertvolle Energie und Platz sparen.

Mit jahrzehntelanger Erfahrung in der Belieferung der weltweit führenden Unternehmen beschäftigt Nexperia über 14.000 Mitarbeiter in Asien, Europa und den USA. Nexperia, eine Tochtergesellschaft der Wingtech Technology Co., Ltd. (600745.SS), verfügt über ein umfangreiches IP-Portfolio und ist nach IATF 16949, ISO 9001, ISO 14001 und ISO 45001 zertifiziert.

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