Nexperia的NextPower 100V功率MOSFET具低Qrr值和175°C高温指标
February 27, 2018奈梅亨 -- 新一代器件改善了开关效率，提高了可靠性并降低了EMI
Nexperia（原恩智浦标准产品事业部）今天宣布推出其功率MOSFET产品NextPower 100 V系列。该产品系列具备低反向恢复电荷(Qrr)，且包括采用LFPAK56 (PowerSO8)封装（结温可达到175°C）的器件。
NextPower 100 V MOSFET是Nexperia针对高效开关和高可靠应用的最新一代器件。其具备低50%的RDS(on)值和强大的雪崩能量指标，因而是电源、电信和工业设计的理想选择，尤其适合用于USB-PD、Type-C充电器和适配器及48 V DC-DC适配器。该器件具备低体二极管损耗，其QRR值低至50纳库伦(nC)，从而导致较低的反向恢复电流(IRR)，较低的电压尖峰(Vpeak)及降低的振铃纹波（有利于进一步优化死区时间）。
功率MOSFET产品经理Mike Becker表示: “Qrr值是常常被关注的参数，该参数对许多设计方面有重大影响。低的尖峰意味着EMI降低了，同时优化的死区时间进一步实现了效率增益。这也是我们在Nexperia所追求的。我们已经展示了低Qrr值对这两项功能都是有益的。”
新型NextPower 100 V MOSFET有三种可用的封装：TO220和I2PAK通孔封装，及流行的LFPAK56封装(SMT)。所有封装的器件都具备175°C的Tj(max) ，且完全符合IPC9592扩展温度要求，因而NextPower 100 V MOSFET特别适合电信和计算应用。
关于Nexperia
Nexperia（原恩智浦标准产品事业部）是全球领先的分立式器件、逻辑器件与MOSFET器件的专业制造商，公司于2017年初开始独立运营。Nexperia注重效率，生产稳定可靠的半导体器件，年产量高达850亿件。我们广泛的产品系列符合汽车行业的严苛标准。Nexperia工厂生产的微型封装业内领先，不仅具有较高的功率与热效率，还提供同类最佳的品质。
五十多年来，Nexperia一直为全球各地的大型公司提供优质产品，并在亚洲、欧洲和美国拥有11,000名员工，公司拥有庞大的知识产权组合，并获得了ISO9001、ISO/TS16949、ISO14001和OHSAS18001认证。
Nexperia：效率致胜。
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