双极性晶体管

二极管

ESD保护、TVS、滤波和信号调节ESD保护

MOSFET

氮化镓场效应晶体管(GaN FET)

绝缘栅双极晶体管(IGBTs)

模拟和逻辑IC

汽车应用认证产品(AEC-Q100/Q101)

新闻稿

新闻稿

Nexperia推出尺寸为3x3 mm、适用于要求严格的动力系统应用的40 V低RDS(on)汽车级MOSFET器件
  • 新闻稿
二月 12, 2019

Nexperia推出尺寸为3x3 mm、适用于要求严格的动力系统应用的40 ...

RDS(on)降低了48%,功率最大增至300 W

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独立得到了回报,Nexperia取得杰出成绩
  • 新闻稿
二月 08, 2019

独立得到了回报,Nexperia取得杰出成绩

前两年收入增长超过35%,产能增加到每年1000亿件。

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Nexperia与Avnet共同庆祝合作50周年
  • 新闻稿
十二月 11, 2018

Nexperia与Avnet共同庆祝合作50周年

两大行业巨头携手交付性能卓越的优质产品

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NexperiaMOSFET为热交换设计提供最佳安全操作区和改进的导通阻抗RDS(on)
  • 新闻稿
十月 08, 2018

NexperiaMOSFET为热交换设计提供最佳安全操作区和改进的导通阻抗RDS(on)

确保同时满足对保护功能和运行效率的要求

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Nexperia微型无引脚封装的新型175°C AEC-Q101 MOSFET可实现自动光学检测
  • 新闻稿
九月 19, 2018

Nexperia微型无引脚封装的新型175°C AEC-Q101 MOSFET可实现自动光学检测

取代较大的SO8和SOT223封装器件

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Nexperia发布了无需向下掩模即可使用的最小封装逻辑
  • 新闻稿
八月 27, 2018

Nexperia发布了无需向下掩模即可使用的最小封装逻辑

可降低组装成本并提高可靠性的微型4引脚器件,间距≥ 0.4mm

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Nexperia推出全新用于Type-C型USB的ESD保护系列, 可提供业界最高的浪涌抗扰度和最低的触发电压
  • 新闻稿
七月 05, 2018

Nexperia推出全新用于Type-C型USB的ESD保护系列, 可提供业界最高的浪涌抗扰度和最低的触发电压

针对新型系统保护配置而优化了USB3.2 SuperSpeed的全新解决方案

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六月 05, 2018

Nexperia新推出的LFPAK56 MOSFET改善了爬电距离与电气间隙, 并且符合UL2595标准

业界唯一与Power-SO8占用空间兼容且符合新电池供电设备标准的器件

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六月 05, 2018

Nexperia推出最低0.9 mΩ RDS(on)的汽车级MOSFET

高效率节省空间和系统成本,非常适合安全关键型设计

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四月 19, 2018

Nexperia获得用于支持未来增长计划的8亿美元融资

分立器件、逻辑器件和MOSFET器件的全球领导者Nexperia今天宣布,该公司已成功完成对现有信贷的再融资,获得了等值8亿美元的优先信贷额度,其中包括很大比例的循环信贷额度。所得款项将用于偿 ...

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