新闻稿

Nexperia计划提高全球产量并增加研发支出

通过新投资支持全球战略，满足不断增长的功率半导体需求并提升GaN工艺技术

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Nexperia发布用于高速数据线路的紧凑型“二合一”保护器件

面向USB3.2和HDMI2.1的出色ESD和系统稳健性

Nexperia首次推出 用于48 V汽车和其他更高电压总线电路的80 V RET

器件可完全避免尖峰和脉冲的影响

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Nexperia推出的耐用型AEC-Q101 MOSFET提供历经十亿个周期测试的 可靠重复雪崩性能

双MOSFET器件通过节省空间、减少器件数量和提高可靠性，简化汽车电磁阀控制电路。

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Nexperia推出符合AEC-Q101标准的无引脚CAN-FD保护二极管，具有行业领先的ESD性能

兼容AOI；出色的RF性能

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Nexperia建立新的特定型应用FET类别以优化性能

“ASFET”采用专为特定应用量身定制的MOSFET参数

Nexperia推出首款带可焊性侧面、采用DFN封装的LED驱动器

符合AEC-Q101标准的DFN2020D-6器件可节省90%PCB空间；可焊性侧面可实现自动光学检测(AOI)并提高可靠性

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Nexperia推出用于HDMI 2.1和DP端口的具有ESD保护的共模滤波器

具有超宽差分通带的高效组合功能的器件

Nexperia全新车用TrEOS ESD保护器件兼具高信号完整性、低钳位电压和高浪涌抗扰度

具备行业基准性能的器件，符合AEC-Q101标准，可保护信息娱乐、多媒体和ADAS系统

Nexperia“Power Live”在线研讨会于2020年7月2日和3日正式上线

参与有关GaN、锗化硅、汽车应用、先进封装等等主题的现场讨论；观看点播视频演示

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