넥스페리아의 확장된 NextPower 80/100V MOSFET 포트폴리오, 설계 유연성 향상시켜
August 06, 2024네덜란드 나인메겐 -- - 스위칭 애플리케이션에서 낮은 RDS(on), 낮은 스파이킹 및 높은 효율성에 최적화 -
핵심 반도체 전문업체인 Nexperia가 오늘 NextPower 80V 및 100V MOSFET 포트폴리오를 업계 표준 5mm x 6mm 및 8mm x 8mm 실장 면적의 여러 새로운 소형 폼 팩터 패키지인 LFPAK로 늘리고 있다고 발표했다.
이 새로운 NextPower 80/100V MOSFET은 낮은 RDS(on)및 낮은 Qrr에 최적화되어 서버, 전원 공급 장치, 고속 충전기, USB-PD를 비롯해 통신, 모터 제어, 기타 다양한 산업용 장비에서 높은 효율과 낮은 스파이크를 제공한다. 이에 따라 설계자들은 1.8mΩ에서 15mΩ에 이르는 RDS(on) 값의 80V 및 100V 소자들을 필요에 따라 선택할 수 있게 되었다.
여러 MOSFET 제조업체들은 타사 제품들과 비교해서 기기의 스위칭 성능을 벤치마킹할 때 낮은 QG(tot) 및 낮은 QGD를 통해 높은 효율성을 달성하는 데 중점을 둔다. 그러나 넥스페리아는 광범위한 연구를 통해 스파이킹에 미치는 영향과 소자 전환 중에 생성되는 전자기 간섭(EMI)의 양으로 인해 Qrr이 훨씬 더 중요하다는 것을 확인했다.
넥스페리아는 이 매개변수에 집중함으로써 NextPower 80/100V MOSFET에서 생성되는 스파이크 수준을 크게 줄였으며 이에 수반되는 EMI의 양도 줄였다. 이에 따라 응용 제품이 전자기 호환성(EMC) 테스트에 실패할 경우 외부 부품들을 추가하기 위해 비용이 많이 들어가는 후반 단계 재설계 필요성을 줄임으로써 최종 사용자에게 상당한 이점을 제공하게 되었다.
이 새로운 MOSFET의 온스테이트 저항(RDSon RDSon) 값은 기존에 제공하던 기기들에 비해 최대 31%까지 감소했다.
한편 넥스페리아는 올해 말에 RDS(on) 값을 80V에서 1.2mΩ로 낮게 제공하는 LFPAK88 MOSFET을 추가로 출시할 계획이다. 이와 함께 전력 밀도 CCPAK1212를 출시해 NextPower 80/100V 포트폴리오를 더욱 강화할 예정이다.
넥스페리아는 이러한 제품들의 설계 및 검증을 더욱 지원하기 위해 수상 경력에 빛나는 대화형 데이터시트를 통해 엔지니어들에게 소자 동작에 대한 포괄적이고 사용자 친화적인 통찰력을 제공하고 있다.
넥스페리아의 NextPower 80/100 V MOSFET에 관한 상세 정보는 https://www.nexperia.com/products/mosfets/family/NEXTPOWER-80-100V-MOSFETS
에 있다.
넥스페리아 소개
네덜란드에 본사를 둔 넥스페리아는 풍부한 유럽 역사를 가진 글로벌 반도체 회사로서 유럽, 아시아 및 미국 전역에 걸쳐 15,000명 이상의 직원을 두고 있다. 필수 반도체 개발 및 생산 분야의 선도적인 전문가인 넥스페리아의 제품들은 자동차 및 산업용에서 모바일 및 소비자 가전 제품에 이르기까지 전 세계 거의 모든 전자 설계의 기본 기능을 가능하게 한다.
넥스페리아는 연간 1,000억 개 이상의 반도체를 글로벌 고객들에게 선적하는 서비스를 제공한다. 이 제품들은 프로세스, 크기, 전력 및 성능에서 좋은 효율을 가진 벤치마크로 인정받고 있다. 넥스페리아는 광범위한 IP 포트폴리오, 계속되는 제품군 확장들을 통해 혁신, 효율성, 지속 가능성 및 엄격한 산업 요구 사항을 준수하며 IATF 16949, ISO 9001, ISO 14001 및 ISO 45001 표준 인증을 획득했다.
Nexperia: Efficiency wins.
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