Nexperia最新扩充的NextPower 80/100V MOSFET产品组合可提供更高的设计灵活性
August 07, 2024奈梅亨 -- 针对开关应用中的低RDSon、低尖峰和高效率进行了优化
![](/.imaging/mte/nexperia/page-intro/dam/nexperia/About-new_final/News-and-Events/Press-release/press-releases/Extended-NextPower-80-100V-MOSFET-portfolio-from-Nexperia-offers-increased-design-flexibility-/new2024-0001-NEX_140_PR-image---NextPower-80_100V_v2.jpg/jcr:content/new2024-0001%20NEX_140_PR%20image%20-%20NextPower%2080_100V_v2.jpg)
Nexperia今日宣布,公司正在持续扩充其NextPower 80 V和100 V MOSFET产品组合,并推出了几款采用行业标准5x6 mm和8x8 mm尺寸的新型LFPAK器件。这些新型NextPower 80/100 V MOSFET针对低RDS(on)和低Qrr进行了优化,可在服务器、电源、快速充电器和USB-PD等各种应用以及各种电信、电机控制和其他工业设备中提供高效率和低尖峰。设计人员可以从80 V和100 V器件中进行选择,RDS(on)选型从1.8 mΩ到15 mΩ不等。
许多MOSFET制造商在将其器件的开关性能与其他产品进行对比时,特别看重是否能通过低QG(tot)和低QGD实现高效率。然而,通过广泛的研究,Nexperia发现Qrr同样重要,因为它会影响尖峰表现,进而影响器件开关期间产生的电磁干扰(EMI)量。通过专注于研究该参数,Nexperia大大降低了其NextPower 系列80/100 V MOSFET产生的尖峰水平,同时也降低了它们产生的EMI量。如果最终用户的应用在后期未通过电磁兼容性(EMC)测试,而需要重新设计时,这将降低添加额外外部组件所需的高昂成本,从而为最终用户带来显著的益处。
与当前可用的器件相比,这些新MOSFET的导通电阻(RDSon)降幅高达31%。Nexperia还计划在今年晚些时候进一步加强其NextPower 80/100 V产品组合,再发布一款LFPAK88 MOSFET,在80 V下提供低至1.2 mΩ的RDS(on),同时在产品组合中引入功率密集型CCPAK1212。为了进一步支持这些器件的设计导入和验证,Nexperia屡获殊荣的交互式数据手册,为工程师提供了全面且用户友好的器件行为分析
要了解有关Nexperia NextPower 80/100 V MOSFET产品组合的更多信息,请访问:https://www.nexperia.com/nextpower-80-100V-MOSFETs
关于Nexperia
Nexperia总部位于荷兰,是一家在欧洲拥有丰富悠久发展历史的全球性半导体公司,目前在欧洲、亚洲和美国共有14,000多名员工。作为基础半导体器件开发和生产的领跑者,Nexperia的器件被广泛应用于汽车、工业、移动和消费等多个应用领域,几乎为世界上所有商业电子设计的基本功能提供支持。
Nexperia为全球客户提供服务,每年的产品出货量超过1,000亿件。这些产品在效率(如工艺、尺寸、功率及性能)方面成为行业基准,获得广泛认可。Nexperia拥有丰富的IP产品组合和持续扩充的产品范围,并获得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001标准认证,充分体现了公司对于创新、高效、可持续发展和满足行业严苛要求的坚定承诺。
Nexperia
Anne Proch
电话:+49 160 916 884 18
电子邮件:anne.proch@nexperia.com
Publitek
Megan King
电话:+44 7855060775
电子邮件:megan.king@publitek.com