新闻稿

Nexperia全新车用TrEOS ESD保护器件兼具高信号完整性、低钳位电压和高浪涌抗扰度

具备行业基准性能的器件，符合AEC-Q101标准，可保护信息娱乐、多媒体和ADAS系统

Nexperia“Power Live”在线研讨会于2020年7月2日和3日正式上线

参与有关GaN、锗化硅、汽车应用、先进封装等等主题的现场讨论；观看点播视频演示

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Nexperia推出采用小型无引脚耐用型DFN封装的符合AEC-Q101的分立半导体产品组合

相比现有SMD器件可节省90%空间，支持AOI检测

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Nexperia（安世半导体）宣布推出新一代 650V 氮化镓 (GaN) 技术

新一代氮化镓技术针对汽车、5G 和数据中心等应用；新器件采用了传统的TO-247封装和创新的铜夹片贴片封装CCPAK

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Nexperia的锗化硅 (SiGe)整流器兼具一流的高效率、热稳定性，能够节省空间

符合AEC-Q101标准的120 V、150 V和200 V设备兼具肖特基和快速恢复二极管的最佳属性

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Nexperia发布P沟道MOSFET，采用节省空间的坚固LFPAK56封装

符合AEC-Q101标准，适合汽车应用

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Nexperia推出的超微型MOSFET占位面积减小36%，且具备低导通电阻RDS(on)

采用易于使用的封装，适用于可穿戴设备和大批量应用

安世半导体CEO Frans Scheper退休 张学政就任安世半导体CEO

2020年3月24日，Nexperia对外宣布，Nexperia首席执行官Frans ...

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Nexperia推出首款支持USB4标准的ESD保护器件

TrEOS二极管完全支持USB4TM标准；具有低钳位、低电容、低泄露特性，极高的鲁棒性

Nexperia与Ricardo合作开发基于GaN的EV逆变器设计

领先的汽车咨询公司在技术演示器中采用Nexperia已获AEC-Q101认证的GaN FET器件

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